类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | -50.0 V |
额定电流 | -220 mA |
封装 | TSOT-23-6 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 1.2 Ω |
极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
功耗 | 960 mW |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | -50.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -340 mA |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 66pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
下降时间 | 1 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 0.96 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
宽度 | 1.7 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDC7003P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -340 mA, -60 V, 1.2 ohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET NDC7003P, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDC7003P.* 场效应管, MOSFET
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