类型 | 描述 |
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封装 | TO-220 |
漏源极电阻 | 1.5 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 30 W |
阈值电压 | 4.5 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.5A |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NDF05N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V 5A TO-220
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET,500V,5A,1.5Ω,单N沟道
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的500 V , 1.25 Ω N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω
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