| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 28 W |
| 阈值电压 | 4.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 632pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.63 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 16.12 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NDF05N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V 5A TO-220
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET,500V,5A,1.5Ω,单N沟道
ON Semiconductor（安森美）
N沟道功率MOSFET的500 V ， 1.25 Ω N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω
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