| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 650 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 39 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A |
| 上升时间 | 31 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1645pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 39 W |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 39W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.63 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 16.12 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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N沟道功率MOSFET 0.65 Ω ， 600伏 N-Channel Power MOSFET 0.65 Ω, 600 Volts
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