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NDF10N62ZG
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NDF10N62ZG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:10A,620V,N沟道功率MOSFET
PDF文件:NDF10N62ZG 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
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NDF10N62ZG 数据手册 (6 页)
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NDF10N62ZG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-Channel
功耗36 W
阈值电压3V ~ 4.5V
漏源极电压(Vds)620 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间31 ns
输入电容值(Ciss)1425pF @25V(Vds)
额定功率(Max)36 W
下降时间21 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)36W (Tc)
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NDF10N62ZG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NDF10N62ZG 数据手册

NDF10N62ZG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.13 MByte
NDF10N62ZG 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.12 MByte
NDF10N62ZG 产品封装文件
ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 0.92 MByte

NDF10N62 数据手册

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N沟道功率MOSFET的620 V， 0.65 ？ N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.65 Ω
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