类型 | 描述 |
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封装 | TO-220 |
漏源极电阻 | 0.52 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 39 W |
阈值电压 | 4.5 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 12A |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR NDF11N50ZG 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.48 ohm, 10 V, 3.9 V
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET,500V,10.5A,0.52Ω,单N沟道
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的500 V, 0.52 ? N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.52
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