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NDFPD1N150CG
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NDFPD1N150CG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NDFPD1N150CG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 1.5 kV, 100 ohm, 10 V
PDF文件:NDFPD1N150CG 数据手册 (5 页)封装尺寸在4 页
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NDFPD1N150CG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻100 Ω
极性N-Channel
功耗20 W
输入电容80 pF
漏源极电压(Vds)1.5 kV
连续漏极电流(Ids)0.1A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)80pF @30V(Vds)
下降时间280 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta), 20W (Tc)
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NDFPD1N150CG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度28.85 mm
宽度10.16 mm
高度4.7 mm
工作温度150℃ (TJ)
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NDFPD1N150CG 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.34 MByte
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NDFPD1N150CG 产品修订记录
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ON SEMICONDUCTOR  NDFPD1N150CG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 1.5 kV, 100 ohm, 10 V
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