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NDP6020P
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NDP6020P 数据手册 (6 页)
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NDP6020P 技术参数、封装参数

NDP6020P 外形尺寸、物理参数、其它

NDP6020P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
29 页 / 1.96 MByte

NDP6020 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
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