| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 48.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 100 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 25 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 100 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 48.0 A |
| 上升时间 | 320 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 100 W |
| 下降时间 | 161 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDP6060 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 25 mohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.9 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDP6060L 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 25 mohm, 10 V, 2 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
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