| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 1.30 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.11 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.30 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 162pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS331N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.11 ohm, 4.5 V, 700 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
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