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NDS335N
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NDS335N 数据手册 - National Semiconductor（美国国家半导体）

制造商:National Semiconductor（美国国家半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-23
PDF文件:NDS335N 数据手册 (7 页)
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NDS335N 数据手册 (7 页)
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NDS335N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)20.0 V
额定电流1.70 A
封装SOT-23
漏源极电阻140 mΩ
极性N-Channel
功耗500 mW
漏源极电压(Vds)20.0 V
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压8.00 V
连续漏极电流(Ids)1.70 A
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NDS335N 数据手册

NDS335N 数据手册
National Semiconductor（美国国家半导体）
7 页 / 0.06 MByte

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