| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.135 Ω |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 140pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.6 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS351AN, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1.6 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
National Semiconductor（美国国家半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
