类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 1.10 A |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 0.5 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.10 A |
上升时间 | 16 ns |
输入电容值(Ciss) | 140pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 460 mW |
下降时间 | 16 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.4 mm |
高度 | 1.12 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.16Ω/Ohm @1.4A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package. Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON).Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Compact industry standard SOT-23 surface mount 描述与应用| N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 概述 这些N沟道逻辑电平增强模式电源场效应晶体管都采用飞兆半导体 专有的,高密度,DMOS技术。这高密度工艺特别适合于 最大限度地减少通态电阻。这些设备是特别适合于低电压应用在笔记本 电脑,手提电话,PCMCIA卡,和其他 电池供电电路中快速切换,低 线的功率损耗,需要在一个非常小外形 表面贴装封装。 行业标准外形SOT-23表面贴装封装 使用专有SuperSOT 设计卓越的TM-3 热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS(ON) 卓越的导通电阻和最大DC电流能力。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS351AN, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1.6 V
National Semiconductor(美国国家半导体)
National Semiconductor(美国国家半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件