| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -900 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 500 mW |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | -30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 900 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 135pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -900mA/-0.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.45Ω @-900mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| ndustry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 不能忽视标准外形SOT-23表面贴装封装 使用专有SuperSOT TM-3的设计卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
P沟道 30 V 0.5 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管 - SSOT-3
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
National Semiconductor（美国国家半导体）
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