| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -850 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 460 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -850 mA to 850 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 125pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V
●最大漏极电流IdDrain Current| -850mA/-0.85A
●源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.46Ω @-800mA,-4.5V
●开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.5V
●耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W
●Description & Applications| Proprietary package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Compact industry standard SOT-23 surface mount package.
●描述与应用| 专有包装设计采用铜引线框架的 卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
P沟道 30 V 0.5 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管 - SSOT-3
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
National Semiconductor（美国国家半导体）
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