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NDS7002A-F169
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NDS7002A-F169 数据手册 (8 页)
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NDS7002A-F169 技术参数、封装参数

NDS7002A-F169 外形尺寸、物理参数、其它

NDS7002A-F169 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.73 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 1.07 MByte

NDS7002 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS7002A  晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TI(德州仪器)
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