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NDS9953A
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NDS9953A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF文件:NDS9953A 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
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NDS9953A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-2.90 A
封装SOIC-8
漏源极电阻0.2 Ω
极性P-Channel
功耗2 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压-30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)2.90 A
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)350pF @10V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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NDS9953A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期End of Life
包装方式Tape & Reel (TR)
长度4.9 mm
宽度3.9 mm
高度1.75 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NDS9953A 数据手册

NDS9953A 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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NDS9953A 其他参考文件
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