类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOP-8 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 21 ns |
输入电容值(Ciss) | 350pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 900 mW |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 2.9A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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