类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 3.50 A |
封装 | TO-261-4 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.07 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3 W |
阈值电压 | 1.6 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
上升时间 | 7.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 345pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.1 W |
下降时间 | 7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 3000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.6 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 60 V 0.1 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOT-223
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件