| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 3.50 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.07 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 345pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
National Semiconductor（美国国家半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
N沟道 60 V 0.1 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOT-223
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