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NGB8202NT4
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NGB8202NT4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
描述:点火IGBT Ignition IGBT
PDF文件:NGB8202NT4 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
引脚图
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NGB8202NT4 数据手册 (8 页)
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NGB8202NT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)400 V
额定电流20.0 A
封装TO-263-3
功耗150 W
击穿电压(集电极-发射极)440 V
额定功率(Max)150 W
耗散功率(Max)150 W
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NGB8202NT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NGB8202NT4 数据手册

NGB8202NT4 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
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