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NGD18N40ACLBT4G
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NGD18N40ACLBT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-252-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NGD18N40ACLBT4G  单晶体管, IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252, 3 引脚
PDF文件:NGD18N40ACLBT4G 数据手册 (8 页)封装尺寸在8 页
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NGD18N40ACLBT4G 数据手册 (8 页)
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NGD18N40ACLBT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
功耗115 W
击穿电压(集电极-发射极)430 V
额定功率(Max)115 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)115000 mW
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NGD18N40ACLBT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NGD18N40ACLBT4G 数据手册

NGD18N40ACLBT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.08 MByte
NGD18N40ACLBT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
NGD18N40ACLBT4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.08 MByte
NGD18N40ACLBT4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.07 MByte

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