| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 40000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 70 ns |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
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