| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 192 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 192 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 192 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.26 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 21.08 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT 分立，On Semiconductor
●绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。
●### IGBT 分立，On Semiconductor
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHRWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.1 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
IGBT 分立，On Semiconductor### IGBT 分立，On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120LWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
IGBT 分立，On Semiconductor### IGBT 分立，On Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor（安森美）
IGBT 晶体管 1200V/20A RC IGBT
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
