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NID5001NT4G
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NID5001NT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-252-3
描述:FET带过温和过流限制
PDF文件:NID5001NT4G 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NID5001NT4G 数据手册 (5 页)
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NID5001NT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)42.0 V
额定电流33.0 A
封装TO-252-3
输出接口数1 Output
漏源极电阻0.023 Ω
极性N-Channel
功耗64 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)42 V
漏源击穿电压42.0 V
栅源击穿电压±14.0 V
连续漏极电流(Ids)33.0 A
输出电流(Max)33 A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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NID5001NT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Cut Tape (CT)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NID5001NT4G 数据手册

NID5001NT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.06 MByte
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