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NID9N05ACLT4G
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NID9N05ACLT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:MOSFET SMARTDISCRETES™，ON Semiconductor自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD（静电放电）保护。
PDF文件:NID9N05ACLT4G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
引脚图
产品图
NID9N05ACLT4G 数据手册 (7 页)
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NID9N05ACLT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
无卤素状态Halogen Free
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.09 Ω
极性N-Channel
功耗1.74 W
阈值电压1.75 V
输入电容155 pF
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间500 ns
输入电容值(Ciss)250pF @40V(Vds)
额定功率(Max)1.74 W
下降时间1150 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.74W (Ta)
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NID9N05ACLT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.22 mm
宽度6.73 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NID9N05ACLT4G 数据手册

NID9N05ACLT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
NID9N05ACLT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 2.36 MByte
NID9N05ACLT4G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte

NID9N05ACLT4 数据手册

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MOSFET SMARTDISCRETES™，ON Semiconductor自保护 MOSFET 可包括电流限制、温度限制和 ESD（静电放电）保护。
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