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NIF9N05CLT1G
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NIF9N05CLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET
PDF文件:NIF9N05CLT1G 数据手册 (8 页)封装尺寸在6 页
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焊盘图
引脚图
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NIF9N05CLT1G 数据手册 (8 页)
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NIF9N05CLT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)52.0 V
额定电流2.60 A
封装TO-261-4
漏源极电阻0.125 Ω
极性N-Channel
功耗1.69 W
阈值电压1.75 V
漏源极电压(Vds)59 V
漏源击穿电压52.0 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)2.60 A
输入电容值(Ciss)250pF @35V(Vds)
额定功率(Max)1.69 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.69W (Ta)
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NIF9N05CLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NIF9N05CLT1G 数据手册

NIF9N05CLT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.17 MByte
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