类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
工作电压 | 5 V |
电容 | 0.65 pF |
封装 | WDFN-6 |
电路数 | 1 Circuit |
针脚数 | 6 Position |
钳位电压 | 26 V |
测试电流 | 1 mA |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 2 mm |
高度 | 0.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
NIV/NIS1161,ESD 保护,具有防止电池短路功能,用于汽车高速数据线路
●NIV/NIS1161 设计用于防止高速数据线路 ESD(静电放电)和车辆电池短路情况。 超低电容,使其特别适用于保护电压敏感高速数据线路。
●### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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ON SEMICONDUCTOR NIV1161MTTAG 静电保护装置, AEC-Q101, 26 V, WDFN, 6 引脚, 5 V 新
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