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NJVMJD31CT4G
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NJVMJD31CT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-252-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NJVMJD31CT4G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
PDF文件:NJVMJD31CT4G 数据手册 (7 页)封装尺寸在5 页6 页
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NJVMJD31CT4G 数据手册 (7 页)
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NJVMJD31CT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率3 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗15 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
集电极最大允许电流3A
最小电流放大倍数25 @1A, 4V
额定功率(Max)1.56 W
直流电流增益(hFE)10
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)15000 mW
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NJVMJD31CT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 150℃
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NJVMJD31CT4G 数据手册

NJVMJD31CT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.16 MByte
NJVMJD31CT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.27 MByte
NJVMJD31CT4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.09 MByte
NJVMJD31CT4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.46 MByte

NJVMJD31CT4 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NJVMJD31CT4G  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
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