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NJVMJD44H11D3T4G
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NJVMJD44H11D3T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-252-3
描述:MJD44H11: 8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管
PDF文件:NJVMJD44H11D3T4G 数据手册 (10 页)封装尺寸在8 页9 页
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NJVMJD44H11D3T4G 数据手册 (10 页)
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NJVMJD44H11D3T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率85 MHz
引脚数4 Pin
封装TO-252-3
极性NPN
功耗1.75 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流8A
最小电流放大倍数40 @4A, 1V
额定功率(Max)20 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1750 mW
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NJVMJD44H11D3T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NJVMJD44H11D3T4G 数据手册

NJVMJD44H11D3T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.09 MByte
NJVMJD44H11D3T4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.1 MByte
NJVMJD44H11D3T4G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.08 MByte
NJVMJD44H11D3T4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.34 MByte

NJVMJD44H11D3T4 数据手册

NJVMJD44H11D3T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
MJD44H11: 8 A，80 V，NPN 双极功率晶体管
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