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NJVNJD2873T4G
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NJVNJD2873T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-252
描述:ON SEMICONDUCTOR  NJVNJD2873T4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 50 V, 65 MHz, 15 W, 2 A, 40 hFE 新
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NJVNJD2873T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率65 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-252
针脚数3 Position
极性NPN
功耗15 W
击穿电压(集电极-发射极)50 V
集电极最大允许电流2A
最小电流放大倍数40
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1680 mW
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NJVNJD2873T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-65℃ ~ 175℃
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NJVNJD2873T4G 数据手册

NJVNJD2873T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.14 MByte
NJVNJD2873T4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
55 页 / 0.56 MByte
NJVNJD2873T4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.15 MByte

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