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NJVNJD35N04T4G
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NJVNJD35N04T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-252-3
描述:NPN达林顿功率晶体管 NPN Darlington Power Transistor
PDF文件:NJVNJD35N04T4G 数据手册 (5 页)封装尺寸在4 页
原理图在2 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NJVNJD35N04T4G 数据手册 (5 页)
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NJVNJD35N04T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
无卤素状态Halogen Free
极性NPN
功耗45 W
击穿电压(集电极-发射极)350 V
集电极最大允许电流4A
最小电流放大倍数2000
额定功率(Max)45 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
增益带宽90MHz (Min)
耗散功率(Max)45000 mW
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NJVNJD35N04T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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NJVNJD35N04T4G 数据手册

NJVNJD35N04T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.19 MByte
NJVNJD35N04T4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
63 页 / 0.51 MByte
NJVNJD35N04T4G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
NJVNJD35N04T4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.11 MByte

NJVNJD35N04T4 数据手册

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