| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 4 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 200 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
| 集电极最大允许电流 | 16A |
| 最小电流放大倍数 | 20 |
| 最大电流放大倍数 | 70 |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 直流电流增益(hFE) | 8 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 15.8 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 20.1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NJW21193G 单晶体管 双极, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 8 hFE 新
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