| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -12.0 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | SC-70-6 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 450 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 12 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @800mA, 1.5V |
| 额定功率(Max) | 450 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 180 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 650 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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高电流表面贴装PNP硅低VCE （ sat）的晶体管用于电池供电的应用 High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications
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ON SEMICONDUCTOR NSL12AWT1G 单晶体管 双极, PNP, -12 V, 100 MHz, 450 mW, -3 A, 180 hFE
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