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NSS30100LT1G
来自 AiPCBA

NSS30100LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:30 V ， 2 A，低的Vce （ sat）的PNP晶体管 30 V, 2 A, Low Vce(sat) PNP Transistor
PDF文件:NSS30100LT1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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NSS30100LT1G 数据手册 (6 页)
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NSS30100LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-1.00 A
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性PNP
功耗710 mW
击穿电压(集电极-发射极)30 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数100 @500mA, 2V
最大电流放大倍数300
额定功率(Max)310 mW
直流电流增益(hFE)80
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)710 mW
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NSS30100LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度1.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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NSS30100LT1G 数据手册

NSS30100LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.11 MByte
NSS30100LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
NSS30100LT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
NSS30100LT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.02 MByte

NSS30100LT1 数据手册

NSS30100LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
30 V ， 2 A，低的Vce （ sat）的PNP晶体管 30 V, 2 A, Low Vce(sat) PNP Transistor
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