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NST45011MW6T1G
来自 AiPCBA

NST45011MW6T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-363
描述:ON SEMICONDUCTOR  NST45011MW6T1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 150 hFE 新
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NST45011MW6T1G 数据手册 (5 页)
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NST45011MW6T1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率100 MHz
引脚数6 Pin
封装SOT-363
针脚数6 Position
极性NPN
功耗380 mW
击穿电压(集电极-发射极)45 V
集电极最大允许电流0.1A
最小电流放大倍数200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数500
额定功率(Max)380 mW
直流电流增益(hFE)150
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)380 mW
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NST45011MW6T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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NST45011MW6T1G 数据手册

NST45011MW6T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.1 MByte
NST45011MW6T1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.15 MByte

NST45011MW6T1 数据手册

NST45011MW6T1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NST45011MW6T1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 150 hFE 新
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