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NSV1C201LT1G
来自 AiPCBA

NSV1C201LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 710 mW, 2 A, 40 hFE
PDF文件:NSV1C201LT1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
典型应用电路图在1 页
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NSV1C201LT1G 数据手册 (6 页)
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NSV1C201LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率110 MHz
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性NPN
功耗710 mW
击穿电压(集电极-发射极)100 V
集电极最大允许电流3A
最小电流放大倍数120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数360 @500mA, 2V
额定功率(Max)490 mW
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)710 mW
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NSV1C201LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NSV1C201LT1G 数据手册

NSV1C201LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.07 MByte
NSV1C201LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
NSV1C201LT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.13 MByte

NSV1C201LT1 数据手册

NSV1C201LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 710 mW, 2 A, 40 hFE
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