NSV1C300ET4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	TO-252-3
描述:	PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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NSV1C300ET4G 数据手册 (6 页)

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NSV1C300ET4G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	100 MHz
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
无卤素状态	Halogen Free
针脚数	3 Position
极性	PNP
功耗	33 W
击穿电压(集电极-发射极)	100 V
集电极最大允许电流	3A
最小电流放大倍数	120
最大电流放大倍数	360
直流电流增益(hFE)	120
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	33 W

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NSV1C300ET4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.38 mm

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NSV1C300ET4G 符合标准

NSV1C300ET4G 海关信息

NSV1C300ET4G 概述

NSV1C300ET4G 数据手册

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NSV1C300ET4G 其他数据使用手册

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NSV1C300ET4G 产品修订记录

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NSV1C300ET4G 数据手册

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PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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