| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 238 mA |
| 封装 | SOT-416 |
| 漏源极电阻 | 2.20 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±10.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 238 mA |
| 上升时间 | 15.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 20pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 238mA/0.238A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.5Ω/Ohm @10mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 Power Management Load Switch •Level Shift •Portable Applications such as Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDA"s, Video Games, Hand Held Computers, etc. Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small 1.6 X 1.6 mm Footprint • ESD Protected Gate • Pb−Free Package for “Green Manufacturing” Compliance 描述与应用| 小信号MOSFET 20 V，238 mA时，单N沟道，门ESD保护，SC-75 电源管理负载开关 •电平转换 •便携式应用，如手机，媒体播放器， 数码相机，掌上电脑，电子游戏，手持电脑等。 •低栅极电荷快速开关 •小型1.6×1.6 mm迹 •ESD保护门 •“绿色制造”的合规性的无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor（安森美）
26 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 20 V 238 mA时，单N通道，门ESD保护， SC- 75 Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75
ON Semiconductor（安森美）
小信号MOSFET 20 V 238 mA时，单N通道，门ESD保护， SC- 75 Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
