| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 915 mA |
| 封装 | SC-75-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.127 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 760 mV |
| 输入电容 | 110 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 26 V |
| 栅源击穿电压 | ±6.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 915 mA |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 110pF @16V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 7.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.65 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 0.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流Id Drain Current| 915mA/0.915A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.23Ω/Ohm @600mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.45-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89 Load/Power Switches • Power Supply Converter Circuits • Battery Management • Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc. Features • Low RDS(on) Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated • ESD Protected Gate • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 小信号MOSFET 20 V，915 mA时，单N沟道 具有ESD保护，SC-75和SC-89 负载/功率开关 •电源转换器电路 •电池管理 •便携设备，如手机，掌上电脑，数码相机，寻呼机等 •低的RDS（on） 提高系统效率 •低阈值电压，1.5 V额定 •ESD保护门 •无铅包可用
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小信号MOSFET 20 V 915 mA时，单N通道带ESD保护， SC- 75和SC- 89 Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89
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