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NTB30N06LT4
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NTB30N06LT4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET 30安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level
PDF文件:NTB30N06LT4 数据手册 (24 页)
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NTB30N06LT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)60.0 V
额定电流30.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻46.0 mΩ
极性N-Channel
功耗88.2W (Tc)
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)30.0 A
上升时间200 ns
输入电容值(Ciss)1150pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)88.2W (Tc)
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NTB30N06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTB30N06LT4 数据手册

NTB30N06LT4 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
24 页 / 0.32 MByte
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