| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 68 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 214 W |
| 输入电容 | 1.20 nF |
| 栅电荷 | 46.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 2335pF @25V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta), 214W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 30安培， 60伏 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts
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功率MOSFET 30安培， 200伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode D2PAK
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功率MOSFET 30安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level
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功率MOSFET 30安培， 200伏 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts
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