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NTB30N20G
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NTB30N20G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET 30安培， 200伏 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts
PDF文件:NTB30N20G 数据手册 (4 页)
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NTB30N20G 数据手册 (4 页)
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NTB30N20G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流30.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻68.0 mΩ
极性N-Channel
功耗2W (Ta), 214W (Tc)
输入电容1.20 nF
栅电荷46.0 nC
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)27.0 A
输入电容值(Ciss)2335pF @25V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta), 214W (Tc)
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NTB30N20G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTB30N20G 数据手册

NTB30N20G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.05 MByte
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