| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 150 V |
| 额定电流 | 37.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 50.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 输入电容 | 3.20 nF |
| 栅电荷 | 100 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 37.0 A |
| 上升时间 | 125 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 120 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK
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