| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.5 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 120 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 88W (Tc) |
| 输入电容 | 1.19 nF |
| 栅电荷 | 22.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.5 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1190pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 88 W |
| 耗散功率(Max) | 88W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR NTB5605PT4G MOSFET Transistor, P Channel, -18.5 A, -60 V, 0.12 ohm, -5 V, -1.5 V 新
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET -60伏， -18.5放大器 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp
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