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NTB5605T4G
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NTB5605T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:NTB5605T4G 数据手册 (7 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在6 页
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NTB5605T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性P-Channel
功耗88W (Tc)
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)-18.5 A, 18.5 A
上升时间122 ns
输入电容值(Ciss)1190pF @25V(Vds)
下降时间75 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)88W (Tc)
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NTB5605T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTB5605T4G 数据手册

NTB5605T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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