| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 13.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1333pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta), 74.4W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 75安培， 30伏特N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 75安培， 25伏特N沟道D2PAK ， TO- 220 Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
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