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NTB85N03G
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NTB85N03G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:功率MOSFET 85安培， 28伏娜????频道TOA ???? 220和D2PAK Power MOSFET 85 Amps, 28 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK
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NTB85N03G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)28.0 V
额定电流85.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻6.10 mΩ
极性N-Channel
功耗80W (Tc)
输入电容2.15 nF
栅电荷29.0 nC
漏源极电压(Vds)28 V
漏源击穿电压28.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)85.0 A
输入电容值(Ciss)2150pF @24V(Vds)
耗散功率(Max)80W (Tc)
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NTB85N03G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTB85N03G 数据手册

NTB85N03G 数据手册
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