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NTD110N02R-001
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NTD110N02R-001 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:功率MOSFET Power MOSFET
PDF文件:NTD110N02R-001 数据手册 (6 页)引脚图在1 页Hot
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NTD110N02R-001 数据手册 (6 页)
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NTD110N02R-001 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)24.0 V
额定电流110 A
封装TO-251-3
漏源极电阻4.10 mΩ
极性N-Channel
功耗1.5W (Ta), 110W (Tc)
漏源极电压(Vds)24 V
漏源击穿电压24.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)110 A
上升时间39.0 ns
输入电容值(Ciss)3440pF @20V(Vds)
额定功率(Max)1.5 W
耗散功率(Max)1.5W (Ta), 110W (Tc)
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NTD110N02R-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD110N02R-001 数据手册

NTD110N02R-001 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.09 MByte
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