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NTD12N10
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NTD12N10 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:12A,100V逻辑电平的功率MOSFET
PDF文件:NTD12N10 数据手册 (8 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在7 页8 页
典型应用电路图在1 页
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NTD12N10 数据手册 (8 页)
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NTD12N10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流12.0 A
封装TO-252
漏源极电阻165 mΩ
极性N-Channel
功耗56.6 W
输入电容550 pF
栅电荷20.0 nC
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
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NTD12N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
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NTD12N10 数据手册

NTD12N10 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.15 MByte
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