| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 165 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.76 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 550pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.28 W |
| 下降时间 | 32 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） DPAK
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功率MOSFET 12安培， 100伏特N沟道增强模式DPAK Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK
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